Объем: 1.92; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe, U.2); Тип микросхем Flash: TLC; Средняя скорость случайного чтения: 300 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 75 000 IOps; Время наработки на отказ (МТBF): 2000000; Толщина: 15; Ресурс записи: 1700 TBW
Компания производитель: Intel
Объем: 0.48; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Средняя скорость случайного чтения: 85 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 48 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 3.7; Энергопотребление (ожидание): 1.1; Время наработки на отказ (МТBF): 2000000; Толщина: 7
Компания производитель: Solidigm
3.5", SATA 3.0 (6Gbps), 5400 об/мин, буфер 128 МБ, время доступа 4.2 мс
Компания производитель: Toshiba
Объем: 0.25; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: SATA 3.0; Скорость последовательного чтения: 555; Скорость последовательной записи: 440; Средняя скорость случайного чтения: 80 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 78 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 2; Энергопотребление (ожидание): 0.01; Толщина: 2.38; Размеры М.2: 2280; Ресурс записи: 100 TBW
Компания производитель: Western Digital
Объем: 7.68; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование; Скорость последовательного чтения: 560; Скорость последовательной записи: 530; Средняя скорость случайного чтения: 98 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 31 000 IOps; Время наработки на отказ (МТBF): 2000000; Толщина: 7
Компания производитель: Samsung
Объем: 0.5; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000; Толщина: 3.35; Радиатор охлаждения; Размеры М.2: 2280; Ресурс записи: 300 TBW
Компания производитель: A-Data
Объем: 1.92; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Средняя скорость случайного чтения: 94 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 78 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 3.6; Энергопотребление (ожидание): 1.3; Время наработки на отказ (МТBF): 2000000; Толщина: 7; Ресурс записи: 3504 TBW
Компания производитель: Kingston
Объем: 0.48; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Средняя скорость случайного чтения: 55 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 80 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 2; Энергопотребление (ожидание): 0.03; Время наработки на отказ (МТBF): 2000000; Толщина: 7; Контроллер: Phison S11; Ресурс записи: 250 TBW
Компания производитель: MSI
Объем: 1.92 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Подсветка: нет; Адаптер 3.5" в комплекте: нет
Компания производитель: HP
Объем: 0.96 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SAS 3
Компания производитель: HP
Объем: 1; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Средняя скорость случайного чтения: 1 000 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 700 000 IOps; Время наработки на отказ (МТBF): 2000000; Толщина: 2.3; Размеры М.2: 2280; Ресурс записи: 640 TBW
Компания производитель: Netac
Форм-фактор: 3.5"; Тип: HDD; Емкость: 2000; Скорость вращения: 5400; Объем буфера: 64; Интерфейс SATA: SATA 6Gb/s; Время наработки на отказ: 1000000; Ударостойкость при хранении: 300; Ударостойкость при работе: 70; Уровень шума работы: 26; Потребляемая мощность: 4; Потребляемая мощность в спящем режиме: 0.3; Уровень шума простоя: 21; Высота: 26.1
Компания производитель: Western Digital
Ищете какой смартфон купить с хорошими камерами? Мы сделали подборку моделей с акцентом на качество камер, цену и ликвидность на рынке в 2025 году. В обзоре указаны важные характеристики, плюсы и минусы основанные на обзорах и отзывах.
